Номер детали производителя : | 1N4150 |
---|---|
Статус RoHS : | RoHS несовместим |
Изготовитель / Производитель : | NTE Electronics, Inc. |
Состояние на складе : | 844 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N4150(1).pdf1N4150(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N4150 |
---|---|
производитель | NTE Electronics, Inc. |
Описание | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | RoHS несовместим |
Кол-во в наличии | 844 pcs |
Спецификация | 1N4150(1).pdf1N4150(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1 V @ 200 mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 50 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-35 |
скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 6 ns |
Упаковка / | DO-204AH, DO-35, Axial |
Упаковка | Bag |
Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100 nA @ 50 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 200mA |
Емкостной @ В.Р., F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
HIGH CONDUCTANCE FAST DIODE
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35