Номер детали производителя : | NTE172A |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | NTE Electronics, Inc. |
Состояние на складе : | 348 pcs Stock |
Описание : | TRANS NPN DARL 40V 0.3A TO92 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NTE172A(1).pdfNTE172A(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NTE172A |
---|---|
производитель | NTE Electronics, Inc. |
Описание | TRANS NPN DARL 40V 0.3A TO92 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 348 pcs |
Спецификация | NTE172A(1).pdfNTE172A(2).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 40 V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA |
Тип транзистор | NPN - Darlington |
Поставщик Упаковка устройства | TO-92 |
Серии | - |
Мощность - Макс | 400 mW |
Упаковка / | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Упаковка | Bag |
Рабочая Температура | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Частота - Переход | 60MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 300 mA |
NTE177(5/PKG)
R-SI BRIDGE 1000V 2A
TRANS PNP 2A TO39
R-SI BRIDGE 200V 2A
TRANS NPN 300V 0.1A TO202
R-SI BRIDGE 400V 2A
TRANS NPN 300V 2A TO66
GE-DAMPER DIODE
R-SI BRIDGE 600V 2A
DIODE GEN PURP 200V 250MA DO35