Номер детали производителя : | PJD18N20_L2_00001 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | PANJIT |
Состояние на складе : | 1843 pcs Stock |
Описание : | 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | PJD18N20_L2_00001.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | PJD18N20_L2_00001 |
---|---|
производитель | PANJIT |
Описание | 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 1843 pcs |
Спецификация | PJD18N20_L2_00001.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 9A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 83W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1017 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Tc) |
Базовый номер продукта | PJD18N20 |
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
600V N-CHANNEL MOSFET
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
600V N-CHANNEL MOSFET
600 V N-CHANNEL MOSFET
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
600V N-CHANNEL MOSFET
500V N-CHANNEL MOSFET
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M