Номер детали производителя : | RMP3N90IP |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Rectron USA |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET N-CHANNEL 900V 3A TO251 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RMP3N90IP.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RMP3N90IP |
---|---|
производитель | Rectron USA |
Описание | MOSFET N-CHANNEL 900V 3A TO251 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RMP3N90IP.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-251 |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2Ohm @ 1.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 50W (Tc) |
Упаковка / | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 850 pF @ 25 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 900 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3A (Tc) |
MOSFET N-CHANNEL 900V 3A TO252-2
PANEL CHASSIS 16.7X6X0.5" UNPTD
PANEL CHASSIS 16.7X13X0.5" UNPTD
IC AMP CELLULAR 824-849MHZ 8LCC
PANEL CHASSIS 8.2X6X0.5" UNPTD
IC RF AMP CELL 824-849MHZ 8LCC
IC AMP CELL 824MHZ-849MHZ 11LCC
IC RF AMP CELL 824-849MHZ 11LCC
IC RF AMP CELL 824-849MHZ 8LCC
PANEL CHASSIS 16.7X11X0.5" UNPTD