Номер детали производителя : | STGAP2SICSCTR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | STMicroelectronics |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DISCRETE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | STGAP2SICSCTR |
---|---|
производитель | STMicroelectronics |
Описание | DISCRETE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Напряжение - выходной подачий | 3V ~ 5.5V |
Напряжение - Изоляция | 5000Vrms |
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип) | - |
Технологии | Capacitive Coupling |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SO |
Серии | - |
Время нарастания / спада (Typ) | 30ns, 30ns |
Искажение ширины импульса (макс.) | 20ns |
Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.) | 90ns, 90ns |
Упаковка / | 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C |
Количество каналов | 1 |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Пик Выходной | 4A |
Ток - Выходной High, Low | 4A, 4A |
Переходный импеданс синфазного сигнала (мин.) | 100V/ns |
Базовый номер продукта | STGAP2 |
Агентство по утверждению | UL |
DISCRETE
DISCRETE
GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE
GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE
GALVANICALLY ISOLATED 4 A DUAL G
GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE
DISCRETE
DISCRETE
DGTL ISO
DISCRETE