SI-N8R1123B1US

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. Si-N8R1123B1US из Samsung Semiconductor, Inc.-это высокопроизводительный, низко-мощный чип памяти, предназначенный для продвинутого чипа памяти, предназначенный для Advanced Приложения для вычислений и хранения. Этот IC имеет интерфейс DDR5, предлагающий значительные улучшения частоты передачи данных и эффективности по сравнению с его предшественниками. Он поддерживает скорость до 6400 тонн/с, обеспечивая повышенную пропускную способность для требовательных рабочих нагрузок. Чип интегрирует ECC (код, корректирующий ошибки) для надежной целостности данных, что делает его подходящим для критически важных систем.

Одним из его ключевых преимуществ является ее эффективная архитектура, которая снижает потребление энергии без ущерба для производительности. Это делает его идеальным для центров обработки данных, ИИ и среда машинного обучения, где термическое управление и использование мощности имеют решающее значение. Кроме того, SI-N8R1123B1US поддерживает передовые методы упаковки, обеспечивая надежность и простоту интеграции в современную электронику. Его компактный форм-фактор и высокая плотность также делают его хорошо для устройств с ограниченными пространством, таких как серверы и высококачественные ПК. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.