| Номер детали производителя : | RS1M |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 1A DO214AC |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | RS1M(1).pdfRS1M(2).pdfRS1M(3).pdfRS1M(4).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | RS1M |
|---|---|
| производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Описание | DIODE GEN PURP 1A DO214AC |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | RS1M(1).pdfRS1M(2).pdfRS1M(3).pdfRS1M(4).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.3 V @ 1 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-214AC (SMA) |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 500 ns |
| Упаковка / | DO-214AC, SMA |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | RS1M |








DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
DIODE GEN PURP 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP
MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA