Номер детали производителя : | S4J R6G | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S4J R6G.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S4J R6G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | S4J R6G.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.15 V @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 1.5 µs |
Упаковка / | DO-214AB, SMC |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
4A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC