TSP12U120S S1G

Подробности продукции

Как эффективный и опытный гибридный дистрибьютор электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. TSP12U120S S1G из Taiwan Semiconductor Corporation является высокопроизводительным, низким уровнем, разработанным Mosfet, разработанным Mosfet, разработанным Mosfet, разработанным Mosfet, предназначенным Mosfet Mosfet, предназначенного Mosfet Mosfet, предназначенного Mosfet Mosfet, предназначенного Mosfet Mosfet, предназначенного MOSFET, разработанного с низким напряжением. Для эффективных применений переключения. Это устройство имеет ультра-низко-резистентный (RDS (ON)) 1,2 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности и генерацию тепла. Его максимальное напряжение источника дренажа (VDS) оценивается в 120 В, что делает его подходящим для широкого спектра промышленных и автомобильных систем.

TSP12U120S S1G поддерживает быстрые скорости переключения с низким зарядом, повышая эффективность системы и снижение электромагнитных помех (EMI). Надежная конструкция чипа включает в себя повышенные тепловые характеристики, что обеспечивает надежную работу в требовательных условиях. Этот MOSFET, расположенный в компактном пакете DPAK, предлагает превосходную термическую рассеяние и простоту интеграции в макеты печатной платы.

Ключевые приложения включают в себя управление двигателем, расходные материалы, системы управления аккумуляторами и решения возобновляемых источников энергии. Благодаря расширенному производству процесса и строгому контролю качества, Taiwan Semiconductor Corporation гарантирует, что TSP12U120S S1G обеспечивает постоянную производительность и надежность в различных электронных устройствах. Пожалуйста, нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.