Номер детали производителя : | UJ3D06504TS |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | UnitedSiC |
Состояние на складе : | 22775 pcs Stock |
Описание : | DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | UJ3D06504TS(1).pdfUJ3D06504TS(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | UJ3D06504TS |
---|---|
производитель | UnitedSiC |
Описание | DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 22775 pcs |
Спецификация | UJ3D06504TS(1).pdfUJ3D06504TS(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220-2 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | Gen-III |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-220-2 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | 118pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | UJ3D06504 |
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3