Номер детали производителя : | EDF1DS/45 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Состояние на складе : | - |
Описание : | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EDF1DS/45(1).pdfEDF1DS/45(2).pdfEDF1DS/45(3).pdfEDF1DS/45(4).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EDF1DS/45 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | EDF1DS/45(1).pdfEDF1DS/45(2).pdfEDF1DS/45(3).pdfEDF1DS/45(4).pdf |
Напряжение - Пиковое обратное (Макс) | 200 V |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.05 V @ 1 A |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DFS |
Серии | - |
Упаковка / | 4-SMD, Gull Wing |
Упаковка | Bulk |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Диод Тип | Single Phase |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1 A |
Базовый номер продукта | EDF1 |
LPDDR3 6G 192MX32 FBGA
BRIDGE RECT 1PHASE 150V 1A DFS
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS
IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
IC DRAM 8G PARAL 800MHZ 178FBGA
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFM
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFM
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS