| Номер детали производителя : | S07M-GS08 |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Состояние на складе : | 172289 pcs Stock |
| Описание : | DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO219AB |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | S07M-GS08(1).pdfS07M-GS08(2).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | S07M-GS08 |
|---|---|
| производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Описание | DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO219AB |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 172289 pcs |
| Спецификация | S07M-GS08(1).pdfS07M-GS08(2).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 1 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-219AB (SMF) |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 1.8 µs |
| Упаковка / | DO-219AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1.5A |
| Емкостной @ В.Р., F | 4pF @ 4V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | S07 |







DIODE GP 600V 700MA DO219AB
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB
DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
DIODE GP 600V 700MA DO219AB
DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
DIODE GP 600V 700MA DO219AB
DIODE GP 600V 700MA DO219AB
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO219