Номер детали производителя : | FQB34P10TM-F085P | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 478 pcs Stock |
Описание : | PMOS D2PAK 100V 60 MOHM | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | FQB34P10TM-F085P.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | FQB34P10TM-F085P |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | PMOS D2PAK 100V 60 MOHM |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 478 pcs |
Спецификация | FQB34P10TM-F085P.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±25V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | D²PAK (TO-263) |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 16.75A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Свободный свинец | Lead free |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2910pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
Подробное описание | P-Channel 100V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 33.5A (Tc) |
MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK
MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK
MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK
N-CHANNEL POWER MOSFET