Номер детали производителя : | MJD117-1G |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 2650 pcs Stock |
Описание : | TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MJD117-1G.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MJD117-1G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 2650 pcs |
Спецификация | MJD117-1G.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 100V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Тип транзистор | PNP - Darlington |
Поставщик Упаковка устройства | I-PAK |
Серии | - |
Мощность - Макс | 1.75W |
упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Другие названия | MJD117-1G-ND MJD117-1GOS |
Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 6 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 25MHz |
Подробное описание | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 20µA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 2A |
Номер базового номера | MJD117 |
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
TRANS PNP 100V 2A DPAK
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
TRANS PNP GEN PURP 100V 2A TO-25
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK