MMUN2113LT1G

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN MMUN2113LT1G, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. MMUN2113LT1G от ON Semiconductor-это высокий уровень, и всеобъемлющий MOSFET N-канала Surface-Mount, предназначенный для широкого спектра приложений управления питанием. Это устройство имеет ультра-низкую резистентность (RDS (ON)) 0,0017 Ом при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности и повышенную эффективность в цепях конверсии мощности.

Ключевые характеристики включают в себя рейтинг напряжения дренажного источника (VDS) 30 В и способность непрерывного тока дренажа (ID) до 95A, что делает его подходящим для требовательных применений, таких как управление двигателем, переключение нагрузки и преобразователи DC-DC. MMUN2113LT1G также предлагает быстрые скорости переключения, снижая потери переключения и улучшая общую производительность системы.

Этот MOSFET, расположенный в термически эффективном пакете-263, обеспечивает надежную тепловую производительность, что обеспечивает надежную работу даже при тяжелых нагрузках. Его компактный размер и конструкция поверхностного монтажа облегчают интеграцию в макеты печатной платы. Общие применения включают промышленную автоматизацию, автомобильную электронику и потребительские устройства, где определяют пространство и высокоэффективные решения.