MUN2135T1G

Подробности продукции

Чрезвычайно важно найти надежный источник PN MUN2135T1G. К счастью, вы попали в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX ELECTRONICS. MUN2135T1G — это NPN-транзистор с биполярным переходом (BJT) от ON Semiconductor, разработанный для высокоэффективного усиления и переключения. Он оснащен встроенной сетью резисторов смещения, что упрощает проектирование схемы за счет устранения необходимости во внешних базовых резисторах. Эта интегрированная конфигурация повышает надежность и уменьшает количество компонентов на печатной плате. Устройство обеспечивает непрерывный ток коллектора до 100 мА и рассеиваемую мощность 225 мВт, подходящее для маломощной коммутации сигналов и логических приложений. Благодаря типичному коэффициенту усиления по постоянному току 340 и низкому напряжению насыщения он обеспечивает эффективную работу в компактных электронных системах. MUN2135T1G надежно работает в широком диапазоне температур от -55°C до +150°C, что делает его идеальным для автомобильной, промышленной и бытовой электроники. Общие приложения включают драйверы светодиодов, усилители слабого сигнала, сдвиг логического уровня и взаимодействие микроконтроллеров с периферийными устройствами. Размещенный в компактном корпусе SOT-23, он обеспечивает превосходную термическую стабильность и компактную интеграцию для современных портативных устройств с высокой плотностью размещения. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться в наш отдел продаж по адресу info@rxelectronics.com для дальнейшего обсуждения.