Номер детали производителя : | NCV57256DR2G |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | - |
Описание : | ISOLATED DUAL OUTPUT MOSFET DRIV |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NCV57256DR2G.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NCV57256DR2G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | ISOLATED DUAL OUTPUT MOSFET DRIV |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | NCV57256DR2G.pdf |
Напряжение - выходной подачий | 32V |
Напряжение - Изоляция | 2500Vrms |
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип) | - |
Технологии | Capacitive Coupling |
Поставщик Упаковка устройства | 16-SOIC |
Серии | Automotive, AEC-Q100 |
Время нарастания / спада (Typ) | 12ns, 10ns |
Искажение ширины импульса (макс.) | 20ns |
Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.) | 80ns, 80ns |
Упаковка / | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C |
Количество каналов | 2 |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Пик Выходной | 3.5A, 6.5A |
Ток - Выходной High, Low | 3.5A, 3.5A |
Переходный импеданс синфазного сигнала (мин.) | 100kV/µs |
Агентство по утверждению | VDE |
ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
ISOLATED DUAL OUTPUT IGBT DRIVER
ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT GATE
ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT GATE
HALF BRIDGE GATE DRIVER (ISOLATE
ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT/MOSFE
IC REG LINEAR 1.8V 1.5A D2PAK-5
IC REG LINEAR POS ADJ 3A D2PAK
IC REG LINEAR 2.5V 1.5A D2PAK-5
ISOLATED DUAL CHANNEL MOSFET GAT