| Номер детали производителя : | NGTD8R65F2SWK | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 27817 pcs Stock |
| Описание : | DIODE GEN PURP 650V DIE | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | NGTD8R65F2SWK.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | NGTD8R65F2SWK |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | DIODE GEN PURP 650V DIE |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 27817 pcs |
| Спецификация | NGTD8R65F2SWK.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 2.8V @ 30A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650V |
| Поставщик Упаковка устройства | Die |
| скорость | - |
| Серии | - |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | Die |
| Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Стандартное время изготовления | 4 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Диод Тип | Standard |
| Подробное описание | Diode Standard 650V Surface Mount Die |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 1µA @ 650V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | - |
| Емкостной @ В.Р., F | - |







IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
IGBT 1200V 15A TO-247
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE