NGTD5R65F2WP

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник для NGTD5R65F2WP, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. Этот IC-чип имеет низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) 4,7 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальную потерю мощности и повышенную эффективность системы. Его рейтинг напряжения составляет 650 В, что делает его подходящим для высоковольтных применений, сохраняя при этом надежность против пиков напряжения.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, снижение заряда затвора и превосходную тепловую стабильность, которые способствуют его надежности в требовательных средах. Устройство размещено в пакете TO-247-3, предлагая превосходные возможности рассеивания тепла.

Приложения для NGTD5R65F2WP -пролета различных отраслей, включая автомобильную, промышленную и потребительскую электронику. Он обычно используется в расходных материалах, управлении двигателями, преобразователями DC-DC и солнечными инверторами. Его способность обрабатывать высокий ток и напряжение делает его идеальным для проектирования компактных, эффективных и надежных энергосистем. В целом, этот MOSFET обеспечивает выдающуюся производительность при приложениях к переходу и переключению питания. Цена и время за выполнение NGTD5R65F2WP В зависимости от необходимого количества, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.