NGTD9R120F2SWK

Подробности продукции

Если вам требуется поставка NGTD9R120F2SWK, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. Это устройство оснащено сверхнизким настойчивости (RDS (ON)) 9 миллиомов при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности системы. Размещенный в компактном пакете SuperwSO8, он поддерживает высокую плотность тока при сохранении превосходных тепловых характеристик. С номиналом напряжения источника (VDS) 120 В и способностью непрерывного тока дренажа (ID) до 65A этот MOSFET идеально подходит для требовательных применений, таких как преобразователи DC-DC, управление двигателем и солнечные инверторы. Его быстрая скорость переключения снижает потери переключения, что делает его подходящим для высокочастотных операций. Кроме того, NGTD9R120F2SWK включает в себя передовую технологию траншеи для повышения надежности и надежности, обеспечивая стабильную производительность в суровых условиях. Этот продукт также соответствует строгим экологическим стандартам, соответствующим галогеном и соответствующим ROHS, тем самым поддерживая устойчивые методы проектирования. Назнакомитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!