| Номер детали производителя : | NSBC115TPDP6T5G |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Состояние на складе : | 136091 pcs Stock |
| Описание : | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | NSBC115TPDP6T5G.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | NSBC115TPDP6T5G |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 136091 pcs |
| Спецификация | NSBC115TPDP6T5G.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Тип транзистор | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | SOT-963 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | - |
| Резистор - основание (R1) | 100 kOhms |
| Мощность - Макс | 339mW |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | SOT-963 |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 14 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход | - |
| Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Номер базового номера | NSBC1* |







TRANS PREBIAS DUAL NPN
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

NSBC115TPDP6 - DIGITAL BJT 1 NPN
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
SS SOT563 RSTR XSTR TR
TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

NSBC115TDP6 - DIGITAL BJT 2 NPN

NSBC115TF3 - DIGITAL BJT NPN - P
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563