Номер детали производителя : | NSBC115EPDXV6T1G | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 235372 pcs Stock |
Описание : | SS SOT563 RSTR XSTR TR | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NSBC115EPDXV6T1G.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NSBC115EPDXV6T1G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | SS SOT563 RSTR XSTR TR |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 235372 pcs |
Спецификация | NSBC115EPDXV6T1G.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Тип транзистор | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | SOT-563 |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 100 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 100 kOhms |
Мощность - Макс | 357mW |
Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 52 Weeks |
Частота - Переход | - |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
TRANS BRT DUAL NPN 50V SOT-563
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
NSBC115TF3 - DIGITAL BJT NPN - P
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
NSBC115TDP6 - DIGITAL BJT 2 NPN
TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563