Номер детали производителя : | G3S06510C |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARBIDE 650V 34A TO252 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G3S06510C.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G3S06510C |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIL CARBIDE 650V 34A TO252 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G3S06510C.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 10 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 34A |
Емкостной @ В.Р., F | 690pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARB 650V 35A TO220AC
DIODE SIC 650V 32.8A TO247AC
DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO
DIODE SIL CARB 650V 14A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247AC
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 12A 3-PI
DIODE SIL CARBIDE 650V 34A TO263
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220F
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 3-PI
DIODE SIL CARB 650V 21A TO220F