| Номер детали производителя : | G3S06510M |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE SIL CARB 650V 21A TO220F |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | G3S06510M.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | G3S06510M |
|---|---|
| производитель | Global Power Technologies Group |
| Описание | DIODE SIL CARB 650V 21A TO220F |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | G3S06510M.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 10 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220F |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
| Упаковка / | TO-220-2 Full Pack |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 21A |
| Емкостной @ В.Р., F | 690pF @ 0V, 1MHz |








DIODE SIL CARBIDE 650V 34A TO263

DIODE SIL CARB 650V 35A TO220AC

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220F

DIODE SIL CARBIDE 650V 34A TO252

DIODE SIC 650V 32.8A TO247AC

DIODE SIL CARB 650V 40A TO247AB

SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI

DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC

SIC SCHOTTKY DIODE 650V 12A 3-PI

SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 3-PI