| Номер детали производителя : | G3S12005C | 
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group | 
| Состояние на складе : | - | 
| Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO252 | 
| Доставить из : | Гонконг | 
| Спецификация : | G3S12005C.pdf | 
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS | 
| Часть № | G3S12005C | 
|---|---|
| производитель | Global Power Technologies Group | 
| Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO252 | 
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии | 
| Спецификация | G3S12005C.pdf | 
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 5 A | 
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V | 
| Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252 | 
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) | 
| Серии | - | 
| Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns | 
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 
| Упаковка | Cut Tape (CT) | 
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C | 
| Тип установки | Surface Mount | 
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 1200 V | 
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 34A | 
| Емкостной @ В.Р., F | 475pF @ 0V, 1MHz | 








DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO263

DIODE SIC 1.2KV 34.8A TO220AC

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 4A 3-PI

DIODE SIL CARB 1.2KV 22A TO220AC

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI

DIODE SIL CARB 1.2KV 21A TO220F

DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO252

DIODE SIL CARB 1.2KV 9A TO220F

DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO220AC