Номер детали производителя : | G3S12003C |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO252 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G3S12003C.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G3S12003C |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO252 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G3S12003C.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 12A |
Емкостной @ В.Р., F | 260pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 7A TO263
DIODE SIL CARB 1.2KV 7.3A TO220F
DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 22A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 8.8A TO252
DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 9A TO220F
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 4A 3-PI
DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO252
DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO263