Номер детали производителя : | G3S12002D |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 7A TO263 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G3S12002D.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G3S12002D |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 7A TO263 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G3S12002D.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 2 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 7A |
Емкостной @ В.Р., F | 136pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARB 1.2KV 9A TO220F
DIODE SIL CARB 1.2KV 7.3A TO220F
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 50A 2-PI
DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO252
DIODE SIL CARB 1.2KV 8.8A TO252
DIODE SIL CARB 650V 105A TO247AC
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 4A 3-PI