Номер детали производителя : | G3S12002C |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 8.8A TO252 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G3S12002C.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G3S12002C |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 8.8A TO252 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G3S12002C.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 2 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8.8A |
Емкостной @ В.Р., F | 170pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARB 1.2KV 9A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 105A TO247AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO252
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN
DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 7A TO263
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 50A 2-PI
DIODE SIL CARB 1.2KV 7.3A TO220F
DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC