Номер детали производителя : | G5S06504AT |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE SIC 650V 11.6A TO220AC |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G5S06504AT.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G5S06504AT |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIC 650V 11.6A TO220AC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G5S06504AT.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.6 V @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220AC |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-220-2 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 11.6A |
Емкостной @ В.Р., F | 181pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252
RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 5A 5V
DEOXIT G-SERIES G5 SPRAY WITH P
DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 9.6A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263
DIODE SIL CARBIDE 650V 14A 4DFN
DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC
DIODE SIL CARB 650V 9.7A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 13.8A TO252