| Номер детали производителя : | G5S06504CT | 
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group | 
| Состояние на складе : | - | 
| Описание : | DIODE SIL CARB 650V 13.8A TO252 | 
| Доставить из : | Гонконг | 
| Спецификация : | G5S06504CT.pdf | 
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS | 
| Часть № | G5S06504CT | 
|---|---|
| производитель | Global Power Technologies Group | 
| Описание | DIODE SIL CARB 650V 13.8A TO252 | 
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии | 
| Спецификация | G5S06504CT.pdf | 
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.6 V @ 4 A | 
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V | 
| Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252 | 
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) | 
| Серии | - | 
| Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns | 
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 
| Упаковка | Cut Tape (CT) | 
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C | 
| Тип установки | Surface Mount | 
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V | 
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 13.8A | 
| Емкостной @ В.Р., F | 181pF @ 0V, 1MHz | 








DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC

DIODE SIL CARB 650V 9.7A TO220F

RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 5A 5V

DIODE SIL CARBIDE 650V 14A 4DFN

DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252

DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263

DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F
DEOXIT G-SERIES G5 SPRAY WITH P

DIODE SIL CARB 650V 9.6A TO220AC

DIODE SIC 650V 11.6A TO220AC