| Номер детали производителя : | G5S12008C |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 28.9A TO252 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | G5S12008C.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | G5S12008C |
|---|---|
| производитель | Global Power Technologies Group |
| Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 28.9A TO252 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | G5S12008C.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 8 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 28.9A |
| Емкостной @ В.Р., F | 550pF @ 0V, 1MHz |








DIODE SIC 1.2KV 20.95A TO252

DIODE SIL CARB 1.2KV 37A TO220AC

DIODE SIC 1.2KV 27.9A TO247AC

DIODE SIL CARB 1.2KV 21A TO263

DIODE SIC 1.2KV 24.8A TO220AC

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI

DIODE SIL CARB 1.2KV 26.1A TO263

DIODE SIL CARB 1.2KV 16A TO220F

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P