Номер детали производителя : | G5S12008PM |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE SIC 1.2KV 27.9A TO247AC |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G5S12008PM.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G5S12008PM |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIC 1.2KV 27.9A TO247AC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G5S12008PM.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 8 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247AC |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-247-2 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 27.9A |
Емкостной @ В.Р., F | 550pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARB 1.2KV 34.2A TO252
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI
DIODE SIL CARB 1.2KV 16A TO220F
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 28.9A TO252
DIODE SIC 1.2KV 24.8A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 26.1A TO263
DIODE SIL CARB 1.2KV 37A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 30.9A TO263