Номер детали производителя : | G5S12010D |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 30.9A TO263 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G5S12010D.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G5S12010D |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 30.9A TO263 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G5S12010D.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 10 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 30.9A |
Емкостной @ В.Р., F | 825pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 37A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247AB
DIODE SIL CARB 1.2KV 34.2A TO252
DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247AC
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 16A 3-P
DIODE SIC 1.2KV 27.9A TO247AC
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
DIODE SIL CARB 1.2KV 16A TO220F