IDP40E65D2XKSA1

Подробности продукции

Являясь эффективным и опытным дистрибьютором гибридной электроники, наша компания RX ELECTRONICS. предлагает широкий ассортимент качественных электронных компонентов напрямую от всемирно известных производителей. Infineon IDP40E65D2XKSA1 — это высокопроизводительный транзистор CoolGaN™ HEMT на 650 В, разработанный для эффективного преобразования энергии. Он отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, высокой скоростью переключения и повышенной надежностью затвора, что обеспечивает превосходную эффективность и снижение потерь в системе. Созданный по технологии GaN-on-Si, он обеспечивает более высокую плотность мощности и меньшие по размеру пассивные компоненты по сравнению с традиционными кремниевыми устройствами. Его каскодная структура упрощает требования к приводу затвора, повышая надежность и простоту использования. Ключевые преимущества включают более низкий уровень электромагнитных помех, снижение термического напряжения и компактную упаковку для лучшего управления температурой. Идеальные приложения включают в себя высокоэффективные источники питания переменного и постоянного тока, серверные и телекоммуникационные системы питания, промышленные зарядные устройства и инверторы возобновляемой энергии, где пространство и эффективность имеют решающее значение. Для получения дополнительной информации и подробностей свяжитесь с нашим отделом продаж по адресу info@rxelectronics.com. Мы к вашим услугам в любое время!