| Номер детали производителя : | EMD4T2R |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
| Состояние на складе : | 151866 pcs Stock |
| Описание : | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | EMD4T2R(1).pdfEMD4T2R(2).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | EMD4T2R |
|---|---|
| производитель | LAPIS Semiconductor |
| Описание | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 151866 pcs |
| Спецификация | EMD4T2R(1).pdfEMD4T2R(2).pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA |
| Тип транзистор | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | EMT6 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 47 kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 47 kOhms, 10 kOhms |
| Мощность - Макс | 150mW |
| упаковка | Original-Reel® |
| Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
| Другие названия | EMD4T2RDKR |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 10 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход | 250MHz |
| Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Номер базового номера | *MD4 |







TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH

EMD4DXV6 - DIGITAL BJT 1 NPN, 1
BRIDGE RECT GLASS 200V 1A MDS
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

IC RAM 1GBIT PAR 96BGA
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6