| Номер детали производителя : | EMD4E001G16G2-150CAS2 | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | EverSpin Technologies, Inc. | Состояние на складе : | - |
| Описание : | IC RAM 1GBIT PAR 96BGA | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | EMD4E001G16G2-150CAS2(1).pdfEMD4E001G16G2-150CAS2(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | EMD4E001G16G2-150CAS2 |
|---|---|
| производитель | EverSpin Technologies, Inc. |
| Описание | IC RAM 1GBIT PAR 96BGA |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | EMD4E001G16G2-150CAS2(1).pdfEMD4E001G16G2-150CAS2(2).pdf |
| Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
| Напряжение тока - поставка | 1.14V ~ 1.26V |
| Технологии | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Поставщик Упаковка устройства | 96-BGA (10x13) |
| Серии | - |
| Упаковка / | 96-TFBGA |
| Упаковка | Tray |
| Рабочая Температура | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Размер памяти | 1Gbit |
| Организация памяти | 64M x 16 |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Формат памяти | RAM |
| Тактовая частота | 667 MHz |
| Базовый номер продукта | EMD4E001 |
| Время доступа | 18 ns |







SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

SENSOR HUMIDITY

EMD4DXV6 - DIGITAL BJT 1 NPN, 1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
BRIDGE RECT GLASS 200V 1A MDS
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6