Номер детали производителя : | R6004ENJTL |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET N-CH 600V 4A LPTS |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | R6004ENJTL(1).pdfR6004ENJTL(2).pdfR6004ENJTL(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | R6004ENJTL |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | MOSFET N-CH 600V 4A LPTS |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | R6004ENJTL(1).pdfR6004ENJTL(2).pdfR6004ENJTL(3).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | LPTS |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 1.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 40W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4A (Tc) |
Базовый номер продукта | R6004 |
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
MOSFET N-CH 600V 4A CPT
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
R6004 HALOGEN FREE, 5.12" X 984'
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3