CSD18510Q5B

Подробности продукции

Если вам требуется поставка CSD18510Q5B, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. CSD18510Q5B из Texas Instruments-это MOSFET в режиме улучшения N-канала, предназначенный для высокоэффективных приложений для преобразования мощности. Это устройство имеет низкое сопротивление в гостях (RDS (ON)) 80 МОм при приводе затвора 12 В, что обеспечивает превосходную производительность с точки зрения снижения потерь проводимости и повышенной эффективности системы. Он работает с максимальным напряжением дренажного источника (VDS) 650 В, что делает его подходящим для требования высоковольтных сред.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, отличную тепловую стабильность и надежную возможность короткого замыкания, что повышает общую надежность. Технология SIC обеспечивает минимальный заряд затвора и выходную емкость, что приводит к более низким потери переключения по сравнению с традиционными месой на основе кремния.

Этот MOSFET идеально подходит для различных промышленных и автомобильных применений, таких как преобразователи DC-DC, контроллеры двигателей, солнечные инверторы и зарядные устройства для электромобилей (EV). Его компактный размер и высокопроизводительные атрибуты делают его отличным выбором для дизайнеров, стремящихся уменьшить отслеживание системы при сохранении высокой эффективности и плотности мощности. Проверьте цитату CSD18510Q5B и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.