| Номер детали производителя : | 1N5809URS |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GP 100V 3A SQ-MELF B |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | 1N5809URS(1).pdf1N5809URS(2).pdf1N5809URS(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | 1N5809URS |
|---|---|
| производитель | Micrel / Microchip Technology |
| Описание | DIODE GP 100V 3A SQ-MELF B |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | 1N5809URS(1).pdf1N5809URS(2).pdf1N5809URS(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 875 mV @ 4 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | B, SQ-MELF |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
| Упаковка / | SQ-MELF, B |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 10V, 1MHz |








DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL

DIODE GEN PURP 6A AXIAL

DIODE GEN PURP 100V 6A
DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

UFR,FRR
DIODE GEN PURP 100V 3A B AXIAL

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF