Номер детали производителя : | 1N5809US/TR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N5809US/TR(1).pdf1N5809US/TR(2).pdf1N5809US/TR(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N5809US/TR |
---|---|
производитель | Micrel / Microchip Technology |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | 1N5809US/TR(1).pdf1N5809US/TR(2).pdf1N5809US/TR(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 875 mV @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | B, SQ-MELF |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
Упаковка / | SQ-MELF, B |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 10V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
DIODE GEN PURP 100V 6A
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
DIODE GEN PURP 6A AXIAL
DIODE GEN PURP 6A AXIAL
DIODE GEN PURP 125V 6A AXIAL
UFR,FRR
DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL
DIODE GP 100V 3A SQ-MELF B
DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL