Номер детали производителя : | 1N5809US.TR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Semtech |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 6A |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N5809US.TR.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N5809US.TR |
---|---|
производитель | Semtech |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 6A |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | 1N5809US.TR.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 875mV @ 4A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100V |
Поставщик Упаковка устройства | - |
скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 30ns |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | SQ-MELF |
Рабочая температура - Соединение | - |
Тип установки | Surface Mount |
Стандартное время изготовления | 46 Weeks |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 100V 6A Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5µA @ 100V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 6A |
Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 5V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 6A AXIAL
DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL
DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL
DIODE GEN PURP 6A AXIAL
UFR,FRR
DIODE GP 100V 3A SQ-MELF B
DIODE GEN PURP 125V 6A AXIAL
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF