MRF7S21210HSR3

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN MRF7S21210HSR3 имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите аутентичный и надежный источник продуктов в RX Electronics. MRF7S21210HSR3 от NXP USA USA Inc.-это высокоэффективная трансляция LDMOS RF Power Transistor, разработанная для эффективной и реальной операции в промышленных, и ISMOS-ISMEMS, и ISMOS-Transistor, разработанная для эффективной и реконструкции, в промышленных, и ISMEMS, и ISMEMS-Transistor, предназначенные для эффективной и реконструкции в промышленной, и ISMOMS, и ISMEMS, и ISMOS-Transistor, разработанная для эффективной и реконструкции в промышленной и ISMEMSIFITION, IS. Этот IC -чип работает в диапазоне частот от 2,2 до 2,5 ГГц, что делает его идеальным для беспроводной инфраструктуры, трансляции и общих задач амплификации RF. Он обеспечивает выходную мощность до 100 Вт с отличным усилением и эффективностью, обеспечивая надежную производительность в требовательных средах.

Упакованный в беззвуковую керамическую структуру, MRF7S21210HSR3 предлагает превосходное тепловое управление и механическую стабильность. Его непревзойденная долговечность поддерживает непрерывную волну (CW) и импульсные операции, повышая универсальность в различных системах. Устройство также имеет встроенную защиту электростатического разряда (ESD) для защиты от потенциального повреждения во время обработки или работы.

Инженеры могут полагаться на этот продукт для разработки компактных, но мощных РЧ -решений, которые соответствуют строгим отраслевым стандартам. С постоянным качеством и совместимостью, MRF7S21210HSR3 выделяется в качестве главного выбора для RF-систем следующего поколения. Цена и время за выполнение MRF7S21210HSR3 в зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте вам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искреннеем с вами.