MRF7S24250NR3

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного дистрибьютора гибридной электроники, наша компания - RX Electronics - предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. MRF7S24250NR3, изготовленный NXP USA Inc., представляет собой RF -транзистор с высокой производительностью, разработанный для использования в приложениях с усилителем мощности. Это устройство LDMOS (полупроводниковое полупроводниковое обеспечение с боковым диффузированием) работает в диапазоне частот от 1,8 до 2,7 ГГц, что делает его идеальным для современных систем связи, таких как LTE и WiMax. MRF7S24250NR3 предлагает отличную линейность и эффективность, обеспечивая надежную производительность в требовательных средах.

Ключевые функции включают выходную мощность до 240 Вт с эффективностью слива около 50%, что значительно снижает генерацию тепла и повышает общую надежность системы. Его надежный проект поддерживает высоковольтную работу, обеспечивая стабильность в различных условиях. Кроме того, устройство включает в себя внутренние соответствующие сети, упрощая интеграцию в существующие конструкции и уменьшая требования внешних компонентов.

Заявки на пролет MRF7S24250NR3 в различных отраслях, включая беспроводную инфраструктуру, военные коммуникации и системы вещания. Это особенно подходит для усилителей базовой станции, где высокая мощность и эффективность имеют решающее значение. В целом, этот IC-чип иллюстрирует приверженность NXP предоставить передовые решения для расширенных радиочастотных приложений. Назначьте нашу команду по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!