SI-B8R16256001

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. The Si-B8R16256001 из Samsung Semiconductor, Inc. представляет собой высокопроизводительный чип памяти DRAM, предназначенный для требовательных применений. Этот IC обладает емкостью 16 МБ с организацией 2m x 8 битов, предлагая быстрые скорости доступа к данным и надежную производительность. Он работает при низких напряжениях, как правило, 3,3 В, что значительно снижает энергопотребление, что делает его идеальным для портативных устройств и энергоэффективных систем.

Одним из его ключевых преимуществ является его расширенное управление обновлением, которое сводит к минимуму резервный ток при сохранении целостности данных. Чип также поддерживает различные режимы взрыва, повышая пропускную способность данных в мультимедиа и приложениях связи. Его небольшой форм -фактор и совместимость со стандартными интерфейсами памяти делают его подходящим для широкого спектра продуктов, включая смартфоны, планшеты и встроенные системы. Кроме того, SI-B8R16256001 предлагает надежные возможности обнаружения и коррекции ошибок, обеспечивая надежную работу в критически важных средах. В целом, этот чип является универсальным и эффективным решением для современных электронных устройств, требующих высокоскоростной, низкопроходной памяти. Продолжите свяжитесь с нашей командой продаж или отправьте электронное письмо по адресу info@rxelectronics.com, надеюсь, мы сможем сотрудничать в будущем.