| Номер детали производителя : | 2SB1121T-TD-E | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 116220 pcs Stock |
| Описание : | TRANS PNP 25V 2A SOT89-3 | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | 2SB1121T-TD-E.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | 2SB1121T-TD-E |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | TRANS PNP 25V 2A SOT89-3 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 116220 pcs |
| Спецификация | 2SB1121T-TD-E.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 2A |
| Напряжение - Разбивка | PCP |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 25V |
| Серии | - |
| Статус RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Резистор - Base (R1) (Ом) | 150MHz |
| Мощность - Макс | 500mW |
| поляризация | TO-243AA |
| Другие названия | 2SB1121T-TD-E-ND |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 4 Weeks |
| Номер детали производителя | 2SB1121T-TD-E |
| Частота - Переход | 100 @ 100mA, 2V |
| Расширенное описание | Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 2A 150MHz 500mW Surface Mount PCP |
| Описание | TRANS PNP 25V 2A SOT89-3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 100nA (ICBO) |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 600mV @ 75mA, 1.5A |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | PNP |







PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
TRANS PNP 50V 1A SOT89-3
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
TRANS PNP 50V 1A SOT89-3
BIP PNP 1A 25V
BIP PNP 1A 25V
TRANS PNP 25V 2A SOT89-3
BIP PNP 2.5A 10V
TRANS PNP 50V 2A SOT89-3
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON