Номер детали производителя : | 2SB817C-1E |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 14176 pcs Stock |
Описание : | TRANS PNP 140V 12A |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 2SB817C-1E.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 2SB817C-1E |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | TRANS PNP 140V 12A |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 14176 pcs |
Спецификация | 2SB817C-1E.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 140V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Тип транзистор | PNP |
Поставщик Упаковка устройства | TO-3P-3L |
Серии | - |
Мощность - Макс | 120W |
упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-3P-3, SC-65-3 |
Другие названия | 2SB817C-1E-ND 2SB817C-1EOS |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 2 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 10MHz |
Подробное описание | Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100µA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 12A |
BIP PNP 0.7A 15V
2SB827 - PNP EPITAXIAL PLANAR SI
SILICON EPITAXIAL PLANAR
TRANS PNP 15V 0.7A CP
2SB824 - PNP EPITAXIAL PLANAR SI
2SB825 - PNP EPITAXIAL PLANAR SI
P-CHANNEL, MOSFET
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
PNP SILICON TRANSISTOR
TRANS PNP 15V 0.7A CP