3LN01C-TB-H

Подробности продукции

Как эффективный и опытный гибридный дистрибьютор электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно из всемирно известных производителей. MOSFET, изготовленный на полупроводнике. Предназначенное для приложений, требующих эффективного переключения и минимальной потери мощности, это устройство имеет ультра-низкую резистентность (RDS (ON)), как правило, 1,2 МОм при VGS = 10 В, обеспечивая превосходную проводимость и снижение тепла. Его надежная конструкция поддерживает напряжение источника дренажного источника (VDS) 30 В и непрерывный канализационный ток (ID) до 119A, что делает его подходящим для требования промышленной и автомобильной среды.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, повышенную тепловую стабильность и превосходную лавину. 3LN01C-TB-H размещается в упаковке TO-264, предлагая надежную механическую прочность и легкую интеграцию в различные схемы. Общие применения включают управление двигателем, расходные материалы, системы управления аккумуляторами и инверторы электромобилей. Надежность и эффективность этого MOSFET делают его идеальным выбором для дизайнеров, стремящихся оптимизировать производительность при одновременном снижении затрат на системные затраты и повышая общую энергоэффективность. Цена и время заказа на 3LN01C-TB-H в зависимости от необходимого количества, отправьте нам запрос, Наша команда по продажам предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.