FQA6N90C-F109

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN FQA6N90C-F109, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. FQA6N90C-F109 от On Semiconductor-это Высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для применений, требующих низкого уровня на устойчивости и эффективной переключения. Это устройство оснащена передовой технологией траншеи, которая обеспечивает минимальные потери проводимости, что делает ее идеальным для цепей управления питанием, управления двигателем и автомобильной электроники. FQA6N90C-F109 работает в диапазоне напряжений от 4,5 В до 10 В и предлагает максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 90 В. Его низкий RDS (ON) 5,5 МОм при VGS = 10 В повышает эффективность системы за счет снижения рассеивания мощности. MOSFET также может похвастаться быстрыми характеристиками переключения, способствуя снижению потерь переключения в высокочастотных приложениях. Этот компонент, расположенный в компактном пакете TO-252, поддерживает сборку поверхностного монтажа, обеспечивая простоту интеграции в современные конструкции печатных плат. Благодаря надежной защите от электростатического разряда (ESD) и тепловыми характеристиками, FQA6N90C-F109 обеспечивает надежную работу в широком спектре промышленной и потребительской электроники. Проблема Свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.