Номер детали производителя : | FQD19N10LTM |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 361 pcs Stock |
Описание : | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | FQD19N10LTM(1).pdfFQD19N10LTM(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | FQD19N10LTM |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 361 pcs |
Спецификация | FQD19N10LTM(1).pdfFQD19N10LTM(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | D-Pak |
Серии | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 7.8A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Другие названия | FQD19N10LTM-ND FQD19N10LTMTR |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 5 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 870pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
Подробное описание | N-Channel 100V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 15.6A (Tc) |
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK