NBVSBA017LN1TAG

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN NBVSBA017LN1TAG имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. Этот IC-чип имеет ультра-низкий на резистентности (RDS (ON)) 1,7 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности и повышенную эффективность системы. Его заряд затвора также оптимизирован для быстрой скорости переключения, что делает его идеальным для требовательных приложений, таких как преобразователи DC-DC, системы управления двигателем и системы управления аккумуляторами.

Работая в диапазоне напряжений от -0,3 В до 20 В, этот MOSFET поддерживает непрерывные дренажные токи до 98A, предлагая надежные производительность в среде высокого тока. Термически улучшенный пакет LFPAK56D устройства облегчает превосходное рассеяние тепла, что обеспечивает надежную работу при тяжелых нагрузках. Кроме того, его превосходная тепловая стабильность и функции защиты обеспечивают долгосрочную надежность.

Общие применения включают потребительскую электронику, промышленную автоматизацию, автомобильные системы и телекоммуникационную инфраструктуру, где имеют решающее значение компактное проектирование и высокая эффективность. Благодаря своему балансу производительности и эффективности энергии, NBVSBA017LN1TAG выделяется в качестве универсального решения для современных электронных проектов. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.